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高危患者前列腺增生症的微创治疗 期刊论文
甘肃科技, 2010, 期号: 24, 页码: 154-155
作者:  马建华;  白进良;  马鹏程;  张向波;  万江厚
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2016/09/12
川西安宁河I~Ⅲ级阶地孢粉记录反映晚更新世以来古气候变化 期刊论文
西北地震学报, 2010, 期号: 4, 页码: 349-356
作者:  程建武;  宫会玲;  郭雪莲
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/08/06
一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101924030A, 申请日期: 2010-12-22, 公开日期: 2010-12-22
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06
甘南亚高山草甸弃耕演替过程中的物种多样性与生产力变化模式及相互关系研究 期刊论文
草业学报, 2010, 期号: 6, 页码: 1-8
作者:  宋晓谕;  张仁懿;  李新娥;  袁建立;  储诚进
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/08/20
可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916779A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：133/0  |  提交时间：2012/01/06
一种SOI埋氧层下的导电层及其制作工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916761A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2012/01/06
一种具有线性缓冲层的SOI超结LDMOS制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916730A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/01/06
SOI高压功率器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916727A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 王中健; 俞跃辉; 何大伟; 徐大伟; 夏超
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06
可完全消除衬底辅助耗尽效应的SOI超结LDMOS结构的制作工艺 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916728A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
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具有多层超结结构的SOI LDMOS器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916729A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
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