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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2001     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 制备氮化硼纳米微粉的方法 专利 申请日期: 2001-11-28, 公开日期: 2001-11-28 作者:  崔得良;  郝霄鹏;  徐现刚;  蒋民华 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/04 CaAsSb/InP双异质结晶体三极管及其制备方法 专利 申请日期: 2001-10-17, 公开日期: 2001-10-17 作者:  徐现刚;  崔得良;  白玉俊;  郝霄鹏 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04 一种高效半导体纳米材料的制备方法及其应用 专利 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2001-10-10 作者:  崔得良;  徐现刚;  高善民;  殷永泉;  黄柏标 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04 一种高效半导体纳米材料的制备方法及其应用 专利 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2001-10-10 作者:  崔得良;  徐现刚;  高善民;  殷永泉;  黄柏标 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/04 Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉 期刊论文 电子学报, 2001, 期号: 5 作者:  程兴奎;  黄柏标;  徐现刚;  任红文;  刘士文 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 多量子阱  电子干涉   InGaAs/InP异质结界面层的应变研究 期刊论文 中国科学(A辑), 2001, 期号: 09, 页码: 817-822 作者:  徐现刚,崔得良,唐喆,郝霄鹏,K.Heime 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/14 MOVPE  InGaAs/InP  界面应变  TBAs  TBP   Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉 期刊论文 电子学报, 2001, 期号: 05, 页码: 692-694 作者:  程兴奎,黄柏标,徐现刚,任红文,刘士文,蒋民华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 Ga As  多量子阱  电子干涉   利用纳米晶的催化性质合成二联苯 期刊论文 中国科学(B辑 化学), 2001, 期号: 05, 页码: 451-455 作者:  崔得良,郝霄鹏,于晓强,史桂霞,徐现刚,蒋民华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 GaP纳米晶  催化  二联苯   GaAsSb/InP异质结晶体三极管 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2001, 期号: 01, 页码: 117 作者:  徐现刚,S.P.Watkins 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/14 DHBT  GaAsSb/InP  As  Sb  In  异质结  半导体结  发射区  基区  开启电压   GaP纳米复合发光材料的制备和性质 期刊论文 功能材料, 2001, 期号: 05, 页码: 543-545 作者:  崔得良,尉吉勇,潘教青,郝霄鹏,徐现刚,蒋民华 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/14 GaP纳米晶  水热方法  复合发光材料