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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Conduction band offset and electron effective mass in GaInNAs/GaAs quantum-well structures with low nitrogen concentration 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 15, 页码: 2217-2219 作者:   收藏  |  浏览/下载：104/6  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INGAASN  LASER  OPERATION  ALLOYS  GROWTH  GAAS   GaInNAs/GaAs multiple-quantum well resonant-cavity-enhanced photodetectors at 1.3 mu m 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1249-1251 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：103/13  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GROWTH  WAVELENGTH  GAAS   Effects of rapid thermal annealing and SiO2 encapsulation on GaNAs/GaAs single quantum wells grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2488-2490 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2010/08/12 1.3 MU-M  OPTICAL-PROPERTIES  BAND-GAP  SUPERLATTICES  LASERS  GAAS   Hydrostatic pressure effect on photoluminescence from a GaN0.015As0.985/GaAs quantum well 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3595-3597 Tsang MS; Wang JN; Ge WK; Li GH; Fang ZL; Chen Y; Han HX; Li LH; Pan Z 收藏  |  浏览/下载：98/11  |  提交时间：2010/08/12 GAINNAS ALLOYS  BAND-STRUCTURE  GAAS  NITROGEN  GAN(X)AS1-X  IMPURITIES  BEHAVIOR  MASS   Exciton energy of the InAs/GaAs self-assembled quantum dot in a semiconductor microcavity 期刊论文 chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 7, 页码: 655-657 Pan LX; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：102/12  |  提交时间：2010/08/12 quantum dot  microcavity  PHOTOLUMINESCENCE  SCATTERING  POLARITONS   High-temperature characteristics of GaInNAs/GaAs single-quantum-well lasers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 5, 页码: 659-661 Pan Z; Li LH; Du Y; Lin YW; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：69/4  |  提交时间：2010/08/12 SURFACE-EMITTING LASER  OPERATION  RANGE   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN   Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960 Luo XD; Xu ZY; Ge WK; Pan Z; Li LH; Lin YW 收藏  |  浏览/下载：124/4  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BAND-GAP ENERGY  TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISM  GANXAS1-X  EMISSION  NITROGEN  ALLOYS  SHIFT  GANAS