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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1991     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 沉积条件和内应力对a-Si:H膜光致发光谱的影响 期刊论文 半导体技术, 1991, 期号: 5, 页码: 31-33 作者:  王万录;  高锦英;  廖克俊 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 光致发光谱:4765  缺陷态:4705  内应力:4659  a-Si:H:3706  沉积条件:2774  射频功率:2415  H膜:2124  发光强度:816  声子:721  峰值能量:689   直流热等离子体低压高速率合成金刚石薄膜 期刊论文 兰州大学学报, 1991, 期号: 2, 页码: 183-184 作者:  王万录;  高锦英;  廖克俊;  任罡;  邱文元 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 金刚石薄膜:8739  热等离子体:3485  速率合成:2321  化学气相沉积法:1949  微波等离子体:793  直流等离子体化学气相沉积:674  射频等离子体:584  兰州大学:558  气相合成:538  衬底材料:506