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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1989     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 光照后引起a-Si:H_a-SiN_x:H多层膜内应力变化的研究 期刊论文 半导体技术, 1989, 期号: 6, 页码: 23-25 作者:  廖克俊;  王万录 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 内应力:6242  a-Si:H:5276  多层膜:4126  H膜:3024  缺陷态:2115  光诱导:1165  持续光照:638  外应力:538  滤热片:493  光照射:486   沉积条件对GD′a-SiN_x:H;a-Si:H及a-Si:H_a-SiN_x:H多层膜某些性质的影响 期刊论文 真空科学与技术, 1989, 期号: 1, 页码: 47-50 作者:  廖克俊;  王万录;  马世隆;  李顺文 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 非晶态:6483  光吸收特性:3660  高频放电:3245  生长速率:2929  广泛研究:2488  不同条件:2272  阴极:2034  阳极:1973  多层膜:1746  辉光放电:1734