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北京大学 [3]
内容类型
其他 [3]
发表日期
2016 [3]
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发表日期:2016
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ESD Reliability Improvement of the 0.25-mu m 60-V Power nLDMOS with Discrete Embedded SCRs Separated by STI Structures
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Chen, Hung-Wei
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提交时间:2017/12/03
Electrostatic discharge (ESD)
N-channel lateral-diffused MOSFET (nLDMOS)
Secondary breakdown current (I-t2)
Shallow-trench isolation (STI)
Silicon-controller rectifier (SCR)
Algorithm of the Fall Prediction Based on the Double Foot Pressure and Micro Inertial Sensors
其他
2016-01-01
Shi, Guangyi
;
Zhang, Tianqiao
;
Jin, Yufeng
;
Wang, Jack
;
Wang, Zhenyu
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提交时间:2017/12/03
fall prediction
foot pressure
inertial sensors
j48 classifier
threshold judgment
ESD reliability improvement of the 0.25-��m 60-V power nLDMOS with discrete embedded SCRs separated by STI structures
其他
2016-01-01
Chen, Shen-Li
;
Wu, Yi-Cih
;
Lin, Jia-Ming
;
Yang, Chih-Hung
;
Yen, Chih-Ying
;
Chen, Kuei-Jyun
;
Chen, Hung-Wei
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提交时间:2017/12/03
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