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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2010     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 LDD MOS器件模拟及热载流子效应分析 期刊论文 2010, 2010 徐杰; 张文俊; 张锐; XU Jie; ZHANG Wen-jun; ZHANG Rui 收藏  |  浏览/下载：4/0 一种提高氮化镓基场效应晶体管性能的方法 专利 专利号: CN200710175969.2, 申请日期: 2010-03-17, 公开日期: 2009-04-22 作者:  刘果果;  和致经;  黄俊;  王冬冬;  郑英奎 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26