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| 制备埋嵌硅纳米晶的高介电常数栅介质的方法 专利
专利号: CN200710178775.8, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2009-06-10
作者: 李维龙; 陈晨 ; 刘明; 陈宝钦; 谢常青
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| 高密度硅纳米晶薄膜的制备方法 专利
专利号: CN200810224677.8, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2009-04-22
作者: 贾锐; 李维龙; 李昊峰; 路程; 田继红
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| 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101615590, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2009-12-30
魏星; 王湘; 李显元; 张苗; 王曦; 林成鲁
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| 一种烧结钕铁硼磁体材料及其制备方法 专利
申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2010-06-30
丁 勇; 陈仁杰; 闫阿儒
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| 提高烧结钕铁硼永磁材料性能的方法 专利
申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2010-06-30
丁 勇; 陈仁杰; 闫阿儒
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| 提高烧结钕铁硼永磁材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2013-12-16
丁 勇; 陈仁杰; 闫阿儒
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| 一种石墨烯的溶液相制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2013-12-16
刘兆平; 周旭峰
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| 一种石墨烯的溶液相制备方法 专利
申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2010-06-30
刘兆平; 周旭峰
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2010/06/30 |
| 一种烧结钕铁硼磁体材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2013-12-16
丁 勇; 陈仁杰; 闫阿儒
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| 一种二羟基苯乙醇葡萄糖甙化合物及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810012006.5, 申请日期: 2009-12-30, 公开日期: 2009-12-30, 2011-07-11
梁鑫淼; 王亚琴; 丰加涛
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