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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：金属研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The microstructural instability of a hot corrosion resistant superalloy during long-term exposure 期刊论文 Materials Science and Engineering a-Structural Materials Properties Microstructure and Processing, 2008, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 349-358 J. S. Hou; J. T. Guo; G. X. Yang; L. Z. Zhou; X. Z. Qin; H. Q. Ye 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/13 Microstructural instability  Long-term exposure  Applied stress  Topologically close-packed phase  Activation energy  Structural analysis  nickel-base superalloys  high-temperature creep  single-crystals  precipitation  mechanism  systems  alloys  stress  phase   Fabrication of porous titanium scaffold materials by a fugitive filler method 期刊论文 Journal of Materials Science-Materials in Medicine, 2008, 卷号: 19, 期号: 12, 页码: 3489-3495 T. F. Hong; Z. X. Guo; R. Yang 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/04/13 mechanical-properties  bioactive titanium  implant materials  sodium  removal  heat-treatment  metal foams  bone  ability  alloys  alkali   High cycle fatigue behavior of a directionally solidified Ni-base superalloy DZ951 期刊论文 Materials Science and Engineering a-Structural Materials Properties Microstructure and Processing, 2008, 卷号: 496, 期号: 1-2, 页码: 355-361 Z. K. Chu; J. J. Yu; X. F. Sun; H. R. Guan; Z. Q. Hu 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/13 Ni-base superalloy  High cycle fatigue  Notch sensitivity  Slip bands  single-crystal superalloy  crack-growth  temperature-dependence  elevated-temperatures  orientation   The effect of Si additions on the high-temperature oxidation of a ternary Ni-10Cr-4Al alloy in 1 ATM O(2) AT 900-1000 degrees C 期刊论文 Oxidation of Metals, 2008, 卷号: 69, 期号: 5-6, 页码: 299-315 S. Wang; Y. Wu; F. Gesmundo; Y. Niu 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 Ni-Cr-Si-Al alloys  oxidation  third-element effect  intermediate oxidant pressures  most-reactive components  1200 degrees  c  internal oxidation  external oxidation  transition  at.percent  silicon  x=0