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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of Be-doping structure in negative electron affinity GaAs photocathodes on integrated photosensitivity 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 12, 页码: 4104-4109 Wang XF; Zeng YP; Wang BQ; Zhu ZP; Du XQ; Li M; Chang BK 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/11 structure  NEA  integrated photosensitivity  GaAs  Cs : O  SPECTRAL RESPONSE  NEA PHOTOCATHODES  LAYER THICKNESS  CS  SURFACE  PHOTOEMISSION  SYSTEM   p-type Zn1-xMgxO films with Sb doping by radio-frequency magnetron sputtering 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 20, 页码: art.no.202102 Wang P (Wang Peng); Chen NF (Chen Nuofu); Yin ZG (Yin Zhigang); Dai RX (Dai Ruixuan); Bai YM (Bai Yiming) 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2010/04/11 ZNO THIN-FILMS  MGXZN1-XO  DEVICES  ALLOY   Aluminium doping induced enhancement of p-d coupling in ZnO 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3081-3087 作者:  Han XX;  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 ELECTRONIC-STRUCTURE CALCULATIONS  II-VI SEMICONDUCTORS  THIN-FILMS  PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  DOPED ZNO  1ST-PRINCIPLES  CONDUCTION  STATES