CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共45条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
All-epitaxial growth of single-crystalline ba-0.sr-6(0).4tio3/ir/mgo/si heterostructures 期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 285, 期号: 1-2, 页码: 1-5
作者:  Chen, TL;  Li, XM;  Wu, WB;  Yao, SD;  Wang, K
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/10
All-epitaxial growth of ba0.6sr0.4(ti0.94al0.06)o-3-si heterostructures and their leakage current characteristics 期刊论文
Journal of applied physics, 2005, 卷号: 98, 期号: 6, 页码: 4
作者:  Chen, TL;  Li, XM;  Wu, WB
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/10
Immobilization of hemoglobin at the galleries of layered niobate hca2nb3o10 期刊论文
Biomaterials, 2005, 卷号: 26, 期号: 26, 页码: 5267-5275
作者:  Gao, L;  Gao, QM;  Wang, Q;  Peng, SG;  Shi, HL
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/10
Time dependence of wet oxidized algaas/gaas distributed bragg reflectors 期刊论文
Journal of vacuum science & technology b, 2005, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 2137-2140
作者:  Li, RY;  Wang, ZG;  Xu, B;  Jin, P;  Guo, X
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12
Fabrication of zno films by radio frequency magnetron sputtering and annealing 期刊论文
Rare metals, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 267-271
作者:  Gao, HY;  Zhuang, HZ;  Xue, CS;  Wang, SY;  Dong, ZH
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12
Method of forming laser mesa by reactive ion etching followed by in situ etching in regrowth reactor 专利
专利号: GB2411520A, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2005-08-31
作者:  DANIELE, BERTONE;  SIMONE, CODATO;  ROBERTA, CAMPI
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31
Realization of highly uniform self-assembled inas quantum wires by the strain compensating technique 期刊论文
Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: 3
作者:  Huang, XQ;  Wang, YL;  Li, L;  Liang, L;  Liu, FQ
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
The effect of the alxga1-xn/ain buffer layer on the properties of gan/si(111) film grown by nh3-mbe 期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 280, 期号: 3-4, 页码: 346-351
作者:  Zhang, NH;  Wang, XL;  Zeng, YP;  Xiao, HL;  Wang, JX
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12
Growth and properties of gan on si (111) substrates with algan/aln buffer layer by nh3-gsmbe 期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2005, 卷号: 38, 期号: 12, 页码: 1888-1891
作者:  Zhang, NH;  Wang, XL;  Zeng, YP;  Xiao, HL;  Wang, JX
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Crack-free gan/si(111) epitaxial layers grown with inalgan alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340
作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Li, DB;  Lu, Y
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace