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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 发表日期：2003     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 金属-半导体接触势垒高度的理论计算 期刊论文 2003 李书平; 王仁智; 蔡淑惠 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/04/26 势垒高度  平均键能方法  费米能级  barrier height  average -bond-energy method  Fermi level   Schottky势垒中的电中性能级、平均键能和费米能级 期刊论文 2003 李书平; 王仁智 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/04/26 Schottky势垒  电中性能级  平均键能  费米能级  Schottky barrier  charge-neutrality level  average-bond-energy  Fermi level   Hydrothermal synthesis and crystal structure of a new alpha-Keggin unit-supported cobalt bipyridyl complex: [Co(2,2 '-bipy)(3)](1.5)[SiW12O40Co(2,2 '-bipy)(2)(H2O)]center dot 0.5H(2)O 期刊论文 JOURNAL OF COORDINATION CHEMISTRY, 2003, 卷号: 56, 期号: 11, 页码: 953-960 作者:  Liu, CM;  Huang, YH;  Zhang, DQ;  Jiang, FC;  Zhu, DB 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/09 Hydrothermal Synthesis  Cobalt(Ii)  Cluster Complex  Crystal Structure  Polyoxoanion Complex  Keggin Ion   Schottky势垒高度理论计算中的平均键能方法 期刊论文 2003 李书平; 王仁智 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2011/04/26 势垒高度  平均键能方法  费米能级  barrier height  average bond energy method  Fermi level   Average-bond-energy method in Schottky barrier height calculation 期刊论文 2003 Li,SP; Wang,RZ; 李书平 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12 SEMICONDUCTOR BAND STRUCTURES  PSEUDOPOTENTIALS  DIPOLES   Electrical connector system and method 专利 专利号: US20030008560A1, 申请日期: 2003-01-09, 公开日期: 2003-01-09 作者:   收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 InGaN quantum dot photodetectors 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2003, 卷号: 47, 期号: 10, 页码: 1753 Ji, LW; Su, YK; Chang, SJ; Liu, SH; Wang, CK; Tsai, ST; Fang, TH; Wu, LW; Xue, QK 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/18 LIGHT-EMITTING-DIODES  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  WELL BLUE  GAN  SI  CONTACTS  EMISSION  GROWTH  NOISE  LASER   Magnetoconductance oscillations in semiconductor-superconductor junctions with a laterally isolating barrier layer inside semiconductor region 期刊论文 EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B, 2003, 卷号: 34, 期号: 2, 页码: 237 Hsue, YC; Yang, TJ; Gu, BY; Wang, J 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/18 MAGNETIC-FIELDS  QUANTUM WIRES  CONDUCTANCE FLUCTUATIONS  ANDREEV REFLECTION  POINT CONTACTS  TRANSPORT  MICROJUNCTIONS  TRANSITION  STATES  METAL   Current-voltage characteristics of single molecular junction: Dimensionality of metal contacts 期刊论文 2003, 卷号: 119, 期号: 9, 页码: 4923-4928 作者:  Wang, Chuan-Kui[1];  Luo, Yi[2] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/28