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Electronic properties of gaas/gayin1-ynxas1-y-xsby superlattices 期刊论文
Physical review b, 2003, 卷号: 68, 期号: 23, 页码: 7
作者:  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, XH;  Zhang, W;  Xu, YQ
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Forming indium nitride (InN) and indium gallium nitride (InGaN) quantum dots grown by metal-organic-vapor-phase-epitaxy (MOCVD) 专利
专利号: US6645885, 申请日期: 2003-11-11, 公开日期: 2003-11-11
作者:  CHUA, SOO JIN;  LI, PENG;  HAO, MAOSHENG;  ZHANG, JI
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Cubic MgxZn1-xO films grown on Si(111) 期刊论文
journal of inorganic materials, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1385-1388
作者:  Qiu, DJ;  Wu, HZ;  Chen, NB;  Tian, WJ
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Photoluminescence of self-assembled inas/gaas quantum dots covered by inalas and ingaas combination strain-reducing layer 期刊论文
Chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2061-2063
作者:  Fang, ZD;  Gong, Z;  Miao, ZH;  Xu, XH;  Ni, HQ
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Mnsb/porous silicon hybrid structure prepared by physical vapor deposition 期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 259, 期号: 1-2, 页码: 110-114
作者:  Xiu, HX;  Chen, NF;  Peng, CT
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Field-aided collection in gainp2 top solar cells 期刊论文
Solar energy materials and solar cells, 2003, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 265-272
作者:  Chen, MB;  Cui, RQ;  Zhang, ZW;  Lu, JF;  Wang, LX
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Selectively excited photoluminescence of gaas1-xnx single quantum wells 期刊论文
Journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者:  Luo, XD;  Tan, PH;  Xu, ZY;  Ge, WK
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Optoelectronic system comprising several sections having respective functions coupled by evanescent coupling and production process 专利
专利号: US6633699, 申请日期: 2003-10-14, 公开日期: 2003-10-14
作者:  LEGAY, PHILIPPE;  RAMDANE, ABDERRAHIM
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Self-organized inas quantum wires on gaas (331)a substrates 期刊论文
Chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1819-1821
作者:  Gong, Z;  Fang, ZD;  Miao, ZH;  Niu, ZC;  Feng, SL
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Silicon doping induced increment of quantum dot density 期刊论文
Japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318
作者:  Duan, RF;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Zeng, Y
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