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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2002     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Dependence of optical properties on the structure of multi-layer self-organized inas quantum dots emitting near 1.3 mu m 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 3-4, 页码: 432-438 作者:  Meng, XQ;  Xu, B;  Jin, P;  Ye, XL;  Zhang, ZY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Low dimensional structures  Molecular beam epitaxy  Quantum dots  Semiconducting iii-v materials   Five main tail streamers of Comet Halley 期刊论文 CHINESE ASTRONOMY AND ASTROPHYSICS, 2002, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 339-347 作者:  Zhao, HB;  Hu, ZW;  Wang, JZ;  Hou, ZY 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/01/29 Comet Halley  main tail streamer  aberration angle  photometry   Application of dyadic wavelet transform modulus maximum method to denoising of capillary electrophoresis signals 期刊论文 CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES-CHINESE, 2002, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 796-800 作者:  Zhong, HB;  Li, GB;  Liu, H;  Zheng, JB;  Chen, LR 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/09 Dyadic Wavelet Transform  Modulus Maximum  De-noise   Effects of As pressure on optical features of low-temperature grown GaAs/AlGaAs multiple quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 90 Han, YJ; Guo, LW; Bao, CL; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/17 BEAM-EPITAXIAL GAAS  ALGAAS/GAAS  DEFECT  TIME   Mixed former effect: A kind of composition adjusting method of Er-doped glass for broadband amplification 期刊论文 chin. phys. lett., 2002, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 1516 作者:  Yang JH(杨建虎);  Dai SX(戴世勋);  Wen L(温磊);  Liu ZP(柳祝平);  Hu LL(胡丽丽) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/11/30 Dependence of optical properties on the structure of multi-layer self-organized InAs quantum dots emitting near 1.3 mu m 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 3-4, 页码: 432-438 作者:  Jin P;  Ye XL;  Li CM;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  molecular beam epitaxy  quantum dots  semiconducting III-V materials  PHOTOLUMINESCENCE   Structural characterization of epitaxial lateral overgrown GaN on patterned GaN/GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 246, 期号: 1-2, 页码: 69-72 Shen XM; Fu Y; Feng G; Zhang BS; Feng ZH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 transmission electron microscopy  X-ray diffraction  epitaxial lateral overgrowth  metalorganic vapor phase epitaxy  cubic gallium nitride  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  CUBIC GAN  PHASE EPITAXY  REDUCTION  GROWTH