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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2002     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A new method to fabricate ingan quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 作者:  Chen, Z;  Lu, DH;  Yuan, HR;  Han, P;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides   A new method to fabricate InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 188-194 Chen Z; Lu DH; Yuan HR; Han P; Liu XL; Li YF; Wang XH; Lu Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：101/11  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  GAN BUFFER LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  PHASE EPITAXY  SURFACES  TEMPERATURE  DEPENDENCE  MODE  WIRE