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科研机构
半导体研究所 [2]
西安光学精密机械研究... [2]
内容类型
专利 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2002 [4]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:2002
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Monolithically integrated photonic circuit
专利
专利号: US20020146191A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10
作者:
BLOEMER, MARK J.
;
MYNENI, KRISHNA
收藏
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提交时间:2019/12/30
Monolithically integrated photonic circuit
专利
专利号: US20020146191A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10
作者:
BLOEMER, MARK J.
;
MYNENI, KRISHNA
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提交时间:2019/12/30
Storage of photoexcited electron-hole pairs in an alas/gaas heterostructure created by electron transfer in real and kappa spaces
期刊论文
Chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 1540-1542
作者:
Peng, J
;
Hu, B
;
Hu, CY
;
Bian, SB
;
Yang, FH
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提交时间:2019/05/12
Storage of photoexcited electron-hole pairs in an AlAs/GaAs heterostructure created by electron transfer in real and kappa spaces
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 1540-1542
Peng J
;
Hu B
;
Hu CY
;
Bian SB
;
Yang FH
;
Zheng HZ
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提交时间:2010/08/12
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