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浏览/检索结果: 共24条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2002    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Hetero-integration of dissimilar semiconductor materials 专利 专利号: US6495385, 申请日期: 2002-12-17, 公开日期: 2002-12-17 作者:  XIE, YA-HONG 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Optical communications system and vertical cavity surface emitting laser therefor 专利 专利号: US20020163688A1, 申请日期: 2002-11-07, 公开日期: 2002-11-07 作者:  ZHU, ZUHUA;  WANG, SHIH-YUAN 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31 Microprocessor structure having a compound semiconductor layer 专利 专利号: US6472694, 申请日期: 2002-10-29, 公开日期: 2002-10-29 作者:  WILSON, PETER J.;  PANDYA, MIHIR A. 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Method for producing a high-luminance semiconductor light-emitting device capable of operating at a low voltage 专利 专利号: US6468818, 申请日期: 2002-10-22, 公开日期: 2002-10-22 作者:  NAKAMURA, JUNICHI;  NAKATSU, HIROSHI;  SASAKI, KAZUAKI 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Production method of iii nitride compound semiconductor, and iii nitride compound semiconductor element based on it 专利 专利号: WO2002080243A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10 作者:  NAGAI, SEIJI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KODAMA, MASAHITO 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking 专利 专利号: US6455337, 申请日期: 2002-09-24, 公开日期: 2002-09-24 作者:  SVERDLOV, BORIS N. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for nitride based laser diode with growth substrate removed 专利 专利号: US6448102, 申请日期: 2002-09-10, 公开日期: 2002-09-10 作者:  KNEISSL, MICHAEL A.;  BOUR, DAVID P.;  MEI, PING;  ROMANO, LINDA T. 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24 Laser source with submicron aperture 专利 专利号: US6445723, 申请日期: 2002-09-03, 公开日期: 2002-09-03 作者:  ZIARI, MEHRDAD;  DEMARS, SCOTT D.;  VAIL, EDWARD C.;  ZHAO, HANMIN 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 MOCVD-grown InGaAsN using efficient and novel precursor, tertibutylhydrazine, for optoelectronic and electronic device applications 专利 专利号: US20020102847A1, 申请日期: 2002-08-01, 公开日期: 2002-08-01 作者:  SHARPS, PAUL R.;  HOU, HONG QI;  LI, NEIN-YI;  KANJOLIA, RAVI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 Manufacturing method of compound semiconductor wafer 专利 专利号: EP1227176A2, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2002-07-31 作者:  TAMURA, SATOSHI;  OGAWA, MASAHIRO;  ISHIDA, MASAHIRO;  YURI, MASAAKI 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13