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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS   Substrate dependence of ingaas quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201 作者:  Jiang, WH;  Xu, HZ;  Xu, B;  Zhou, W;  Gong, Q 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Structural evaluation of polycrystalline silicon thin films by hot-wire-assisted PECVD 期刊论文 thin solid films, 2001, 卷号: 395, 期号: 1-2, 页码: 213-216 Feng Y; Zhu M; Liu F; Liu J; Han H; Han Y 收藏  |  浏览/下载：161/11  |  提交时间：2010/08/12 poly-Si  structure  hot-wire  plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MICROCRYSTALLINE SILICON  HYDROGEN   Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/15 X-ray diffraction  nitrides  semiconducting III-V materials  PHASE  FILMS   Modification of emission wavelength of self-assembled In(Ga)As/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs(0 <= x <= 0.3) layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1062-1068 Niu ZC; Wang XD; Miao ZH; Feng SL 收藏  |  浏览/下载：78/6  |  提交时间：2010/08/12 crystal morphology  quantum dots  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium arsenide  semiconducting indium gallium arsenide  1.35 MU-M  GAAS-SURFACES  PHOTOLUMINESCENCE  ISLANDS   Structural characterization of cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 chinese journal of electronics, 2001, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 219-222 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Yang H; Liang JW; Han JY 收藏  |  浏览/下载：93/4  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  X-ray double crystal diffraction  structural characteristics  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  EPITAXIAL-GROWTH  HEXAGONAL GAN  LASER-DIODES  THIN-FILMS  MBE   Structural evaluation of polycrystalline silicon thin films by hot-wire-assisted PECVD 会议论文 1st international conference on cat-cvd (hot wire cvd) process, kanazawa, japan, nov 14-17, 2000 Feng Y; Zhu M; Liu F; Liu J; Han H; Han Y 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/15 poly-Si  structure  hot-wire  plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MICROCRYSTALLINE SILICON  HYDROGEN   Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：98/6  |  提交时间：2010/08/12 ORIENTED GAAS  INAS ISLANDS  HIGH-INDEX  SURFACES  TEMPERATURE  TOPOGRAPHY  STRAIN  LASER