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半导体研究所 [5]
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期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2000 [6]
学科主题
半导体材料 [2]
Astronomy ... [1]
光电子学 [1]
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Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic gan grown on gaas(100) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 279-282
作者:
Xu, DP
;
Yang, H
;
Li, JB
;
Li, SF
;
Zhao, DG
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Cubic gan
Buffer layer
Atomic force microscopy
Reflection high-energy electron diffraction
Initial stages of gan/gaas (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:
Xu, DP
;
Yang, H
;
Li, JB
;
Li, SF
;
Wang, YT
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Cubic gan
Hexagonal gan
Buffer layer
Afm
Rheed
The effect of gravity darkening on spectral lines in a rotating star
期刊论文
CHINESE ASTRONOMY AND ASTROPHYSICS, 2000, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 81-87
作者:
Dan HG(单红光)
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/04/07
star
rotation
gravity darkening
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
1st asian conference on chemical vapour deposition, shanghai, peoples r china, may 10-13, 1999
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/15
cubic GaN
buffer layer
atomic force microscopy
reflection high-energy electron diffraction
MOVPE
Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
hexagonal GaN
buffer layer
AFM
RHEED
CUBIC GAN
FILMS
GAAS
DEPENDENCE
NITRIDE
LAYERS
Influences of initial buffer layer deposition on electrical and optical properties in cubic GaN grown on GaAs(100) by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 368, 期号: 2, 页码: 279-282
作者:
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
buffer layer
atomic force microscopy
reflection high-energy electron diffraction
MOVPE
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