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Fabrication of group III-V nitrides on mesas 专利
专利号: US6163557, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2000-12-19
作者:  DUNNROWICZ, CLARENCE J.;  ROMANO, LINDA T.;  BOUR, DAVID P.
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GaN系半導体の成長方法およびGaN系半導体膜 专利
专利号: JP3139445B2, 申请日期: 2000-12-15, 公开日期: 2001-02-26
作者:  砂川 晴夫;  碓井 彰
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化合物半導体装置及びその製造方法 专利
专利号: JP2000340892A, 申请日期: 2000-12-08, 公开日期: 2000-12-08
作者:  倉本 大
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Configuration-based multi-reference second order perturbation theory 期刊论文
SCIENCE IN CHINA SERIES B-CHEMISTRY, 2000, 卷号: 43, 页码: 567-575
作者:  Wang, YB;  Gan, ZT;  Su, KH;  Wen, ZY
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In situ annealing treatment and in-doping of gan epilayers grown by movpe 期刊论文
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 221, 页码: 356-361
作者:  Lu, DC;  Wang, CX;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Wang, XH
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
複合半導體雷射二極體及製造方法 专利
专利号: TW413957B, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2000-12-01
作者:  劉泰京
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26
半導體雷射元件 专利
专利号: TW413972B, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2000-12-01
作者:  上山智;  木戶口勳;  伴雄三郎;  長谷川義晃;  宮永良子
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP2000332357A, 申请日期: 2000-11-30, 公开日期: 2000-11-30
作者:  木戸口 勲;  宮永 良子;  菅原 岳;  鈴木 政勝;  粂 雅博
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窒化物半導体素子 专利
专利号: JP2000332364A, 申请日期: 2000-11-30, 公开日期: 2000-11-30
作者:  木戸口 勲;  石橋 明彦;  粂 雅博;  伴 雄三郎
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体装置 专利
专利号: JP2000315817A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14
作者:  石田 昌宏;  油利 正昭;  今藤 修;  中村 真嗣;  折田 賢児
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