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上海微系统与信息技术... [3]
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北京大学 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [6]
专利 [1]
发表日期
2000 [7]
学科主题
半导体材料 [2]
Materials ... [1]
Optics [1]
Physics, A... [1]
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发表日期:2000
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Method and apparatus for diffusing zinc into groups III-V compound semiconductors crystals
专利
专利号: EP0977247A2, 申请日期: 2000-02-02, 公开日期: 2000-02-02
作者:
IGUCHI, YASUHIRO, C/O OSAKA WORKS OF SUMITOMO ELEC
;
SOWA, SOSUKE, C/O OSAKA WORKS OF SUMITOMO ELEC
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/30
On the spectral problems for the discrete Boltzmann models
期刊论文
chinese physics letters, 2000
Chu, AKH
;
Fang, JJ
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
Anomalous internal friction in lead metaniobate ceramics
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 87, 期号: 6, 页码: 3186-3188
He, LX
;
Li, CE
;
Yan, HX
;
Chen, TG
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
DEFECT CHEMISTRY
DIFFUSION
TITANATE
OXIDES
OXYGEN
Secondary ion mass spectrometry characterization of ion-implanted arsenic distribution in bulk HgCdTe
期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2000, 卷号: 19, 期号: 4, 页码: 281-284
Zhao, J
;
Lu, HQ
;
Li, XY
;
Fang, JX
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/03/24
DIFFUSION
CDTE
CDXHG1-XTE
JUNCTIONS
LAYERS
In situ X-ray studies of oxygen in- and out-diffusion in c-axis-oriented YBa2Cu3O7-delta films
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 2000, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 855-857
Jin, XJ
;
Li, L
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL DIFFUSION
TRACER DIFFUSION
SINGLE-CRYSTAL
THIN-FILMS
BA2YCU3O7-DELTA
SUPERCONDUCTORS
Experimental and numerical investigations on dissolution and recrystallization processes of GaSb/InSb/GaSb under microgravity and terrestrial conditions
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 40-50
Hayakawa Y
;
Okano Y
;
Hirata A
;
Imaishi N
;
Kumagiri Y
;
Zhong X
;
Xie X
;
Yuan B
;
Wu F
;
Liu H
;
Yamaguchi T
;
Kumagawa M
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
microgravity
Chinese recoverable satellite
GaSb
InxGa1-xSb
dissolution
recrystallization
orientation
FLOATING-ZONE GROWTH
INXGA1-XSB CRYSTALS
GASB
MELT
INSB
DIFFUSION
SILICON
CONVECTION
STRIATION
Effect of rapid thermal annealing on InGaAs/GaAs quantum wells
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 352-355
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Yoon SF
;
Zheng HQ
;
Kong MY
;
Lin LY
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
InGaAs/GaAs
quantum wells
interdiffusion
quantum dots
MBE
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