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半导体研究所 [3]
厦门大学 [1]
上海微系统与信息技术... [1]
内容类型
期刊论文 [4]
会议论文 [1]
发表日期
1999 [5]
学科主题
半导体材料 [2]
Crystallog... [1]
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CORC
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共5条,第1-5条
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发表日期:1999
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Variation of electronic structure with C content in Si1-x-yGexCy/Si(001) system
期刊论文
1999
Huang, M. C.
;
Wu, L. Q.
;
Zhu, Z. H.
;
黄美纯
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2013/12/12
BAND OFFSETS
SI/SI1-X-YGEXCY HETEROJUNCTIONS
ALLOYS
SI1-YCY
SI(001)
CARBON
HETEROSTRUCTURES
SILICON
LAYERS
GROWTH
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the sige si p-n heterojunction diodes
期刊论文
Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 页码: 551-555
作者:
Liu, XF
;
Liu, JP
;
Li, JP
;
Wang, YT
;
Li, LY
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Reverse leakage current
Crystalline quality
Sige se p-n heterojunction diodes
GSMBE grown In0.49Ga0.51P/(In)GaAs/GaAs high hole mobility transistor structures
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 201, 页码: 744-748
Chen, JX
;
Li, AZ
;
Yang, QK
;
Lin, C
;
Ren, YC
;
Jin, SR
;
Qi, M
;
Xu, HG
;
Chen, XJ
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/03/25
HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
期刊论文
journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 551-555
作者:
Liu XF
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  |  
浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
reverse leakage current
crystalline quality
SiGe Se p-n heterojunction diodes
LAYERS
Influence of crystal perfection on the reverse leakage current of the SiGe Si p-n heterojunction diodes
会议论文
10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998
Liu XF
;
Liu JP
;
Li JP
;
Wang YT
;
Li LY
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/15
LAYERS
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