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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1999     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP2930213B2, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-08-03 作者:  和田 優;  伊藤 国雄 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 In situ spectroelectrochemical behaviour of nanocrystalline TiO2 thin films electrode fabricated by pulsed laser deposition 期刊论文 1999 Fu, ZW; Kong, JL; Qin, QZ; Tian, ZQ; 田中群 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2012/07/05 TiO2  pulsed laser deposition  spectroelectrochemistry