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浏览/检索结果: 共34条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1999    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor laser device having clad and contact layers respectively doped with Mg and method for fabricating the same 专利 专利号: US6009113, 申请日期: 1999-12-28, 公开日期: 1999-12-28 作者:  MORIMOTO, TAIJI;  SHIBATA, ZENKICHI;  ISHIZUMI, TAKASHI;  MIYAZAKI, KEISUKE;  HATA, TOSHIO 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/12/26 Method for producing II-VI compound semiconductor epitaxial layers having low defects 专利 专利号: US6001669, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14 作者:  GAINES, JAMES MATTHEW;  PETRUZZELLO, JOHN 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ素子の製造方法 专利 专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24 作者:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 Nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method 专利 专利号: US5981977, 申请日期: 1999-11-09, 公开日期: 1999-11-09 作者:  FURUKAWA, CHISATO;  SUGAWARA, HIDETO;  ISHIKAWA, MASAYUKI;  SUZUKI, NOBUHIRO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Epitaxial wafer and manufacturing method thereof as well as light-emitting diode with enhanced luminance 专利 专利号: US5965908, 申请日期: 1999-10-12, 公开日期: 1999-10-12 作者:  SHIBATA, YUKIYA;  MIZUNIWA, SEIJI;  TOYOSHIMA, TOSHIYA 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/26 Multiple wavelength, surface emitting laser with broad bandwidth distributed Bragg reflectors 专利 专利号: US5963568, 申请日期: 1999-10-05, 公开日期: 1999-10-05 作者:  PAOLI, THOMAS L. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 化合物半導体の形成方法 专利 专利号: JP2982345B2, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-11-22 作者:  皆川 重量;  山口 浩;  近藤 正彦;  柳沢 浩徳 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 Tilted valance-band quantum well double heterostructures for single step active and passive optical waveguide device monolithic integration 专利 专利号: US5953479, 申请日期: 1999-09-14, 公开日期: 1999-09-14 作者:  ZHOU, WEIMIN;  COOKE, PAUL W. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26 Method of making distributed feedback laser having spatial variation of grating coupling along laser cavity length 专利 专利号: US5943554, 申请日期: 1999-08-24, 公开日期: 1999-08-24 作者:  DAUTREMONT-SMITH, WILLIAM CROSSLEY;  HAYES, TODD ROBERT 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 量子井戸構造をもつ半導体装置 专利 专利号: JP2964161B2, 申请日期: 1999-08-13, 公开日期: 1999-10-18 作者:  杉山 芳弘;  北田 秀樹 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24