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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1999    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法 专利 专利号: JP1999243253A, 申请日期: 1999-09-07, 公开日期: 1999-09-07 作者:  橋本 茂樹;  宮嶋 孝夫;  冨岡 聡;  秋本 克洋 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31