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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of luminescent Ge nanocrystals started from unlayered hydrogenated amorphous SiGe films or hydrogenated amorphous Si hydrogenated amorphous Ge multilayers 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 1999, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 1631-1637 Xu J; He ZH; Chen KJ; Huang XF; Feng D 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/08/12 VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE  MATRIX   Current self-oscillation induced by a transverse magnetic field in a doped GaAs/AlAs superlattice 期刊论文 physical review b, 1999, 卷号: 60, 期号: 12, 页码: 8866-8870 作者:  Jiang DS;  Wang HL;  Wang HL;  Wang HL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES  DOMAINS  MODEL   Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS   Quantitative analysis of excitonic photoluminescence in nitrogen-doped ZnSe epilayers 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 1775-1779 Zhu ZM; Li GH; Liu NZ; Wang SZ; Han HX; Wang ZP 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE ZNSE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  EXCITATION SPECTROSCOPY  LASER-DIODES  ACCEPTORS  GROWTH   Optical properties of nanocrystalline silicon embedded in SiO2 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1999, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 995-1002 Ma ZX; Liao XB; Kong GL; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/08/12 nanocrystalline silicon  quantum confinement effect  Raman spectra  absorption spectra  photoluminescence  RAMAN-SPECTRA  ABSORPTION  FILMS  LUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISM  POROUS SILICON