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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：1998     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Fu RH; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  2DEG  MD heterostructure  MBE  photoluminescence  GAN  LUMINESCENCE  PLASMA  GALLIUM NITRIDE   Low-temperature growth properties of Si1-xGex by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 535-540 Liu JP; Kong MY; Li JP; Liu XF; Huang DD; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xGex alloys  low temperature epitaxy  desorption  adsorption  surface morphology  growth kinetics  HYDROGEN DESORPTION  SI(100)  SI  SURFACTANT  GERMANIUM  MECHANISM  KINETICS  ALLOYS  SI2H6  GAS-SOURCE MBE   The dependence of growth rate of GaN buffer layer on growth parameters by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 1-2, 页码: 23-27 Liu XL; Lu DC; Wang LS; Wang XH; Wang D; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 MOVPE  GaN buffer layer  growth rate  growth parameters  TRIMETHYLGALLIUM  MECHANISMS  QUALITY  AMMONIA  DIODES  MOCVD  GAAS  THERMAL-DECOMPOSITION   Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition 期刊论文 thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255 Zheng LX; Yang H; Xu DP; Wang XJ; Li XF; Li JB; Wang YT; Duan LH; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 nitrides  MOCVD  surface morphology  growth mechanism  PHASE EPITAXY  GAAS  OSCILLATIONS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD 会议论文 conference on integrated optoelectronics ii, beijing, peoples r china, sep 18-19, 1998 Yan XJ; Zhu HL; Wang W; Xu GY; Zhou F; Ma CH; Wang XJ; Tian HL; Zhang JY; Wu RH; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/29 semi-insulating  Fe-doped  MOCVD