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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
1998 [4]
学科主题
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an inas film on a gaas(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal x-ray diffraction
期刊论文
Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630
作者:
Wang, HM
;
Zeng, YP
;
Zhou, HW
;
Kong, MY
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy
期刊论文
Applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938
作者:
Li, XB
;
Sun, DZ
;
Zhang, JP
;
Kong, MY
;
Yoon, SF
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提交时间:2019/05/12
Triclinic deformation and anisotropic strain relaxation of an InAs film on a GaAs(001) substrate measured by a series of symmetric double crystal X-ray diffraction
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 627-630
Wang HM
;
Zeng YP
;
Zhou HW
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HALL ELEMENTS
GAAS
MISORIENTATION
DISTORTION
LAYERS
MBE
SI
HETEROSTRUCTURES
GROWTH
Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938
Li XB
;
Sun DZ
;
Zhang JP
;
Kong MY
;
Yoon SF
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
LAYERS
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