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内容类型
期刊论文 [38]
会议论文 [14]
发表日期
1998 [52]
学科主题
半导体材料 [4]
Chemistry [2]
Instrument... [2]
Biology; B... [1]
Nuclear Sc... [1]
Physics [1]
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共52条,第1-10条
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发表日期:1998
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5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
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65
70
75
80
85
90
95
100
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作者升序
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题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Tracks of high energy heavy ions in HOPG studied with scanning tunneling microscopy
会议论文
作者:
Liu, J
;
Hou, MD
;
Liu, CL
;
Wang, ZG
;
Jin, YF
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/08/20
heavy-ion irradiation
HOPG
latent track
STM
Tracks of high energy heavy ions in HOPG studied with scanning tunneling microscopy
会议论文
作者:
Liu, J
;
Hou, MD
;
Liu, CL
;
Wang, ZG
;
Jin, YF
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2018/08/20
heavy-ion irradiation
HOPG
latent track
STM
Defects in SiO2 glass irradiated with high energy Ar ions
会议论文
作者:
Zhu, ZY
;
Jin, YF
;
Li, CL
;
Sun, YM
;
Zhang, CH
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/08/20
irradiation
defect
SiO2 glass
Defects in SiO2 glass irradiated with high energy Ar ions
会议论文
作者:
Zhu, ZY
;
Jin, YF
;
Li, CL
;
Sun, YM
;
Zhang, CH
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2018/08/20
irradiation
defect
SiO2 glass
Tracks of high energy heavy ions in HOPG studied with scanning tunneling microscopy
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1998, 卷号: 146, 页码: 356-361
作者:
Liu, J
;
Hou, MD
;
Liu, CL
;
Wang, ZG
;
Jin, YF
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2018/05/31
heavy-ion irradiation
HOPG
latent track
STM
Modification of defects induced by nuclear collisions in Fe and Ni in electronic stopping power regime
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1998, 卷号: 146, 页码: 290-295
作者:
Wang, ZG
;
Dufour, C
;
Jin, YF
;
Hou, MD
;
Jin, GM
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/05/31
electronic energy loss
thermal spike
vacancy and interstitial
defect production and annealing
damage efficiency
recombination cross section
Defects in SiO2 glass irradiated with high energy Ar ions
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1998, 卷号: 146, 期号: 1-4, 页码: 455-461
作者:
Zhang, CH
;
Sun, YM
;
Li, CL
;
Jin, YF
;
Zhu, ZY
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2011/08/26
irradiation
defect
SiO2 glass
III-V族化合物半导体材料的高能重离子辐照效应
期刊论文
原子核物理评论, 1998, 期号: 03
陈志权
;
李世清
;
王柱
;
胡新文
;
王少阶
;
侯明东
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2011/09/23
正电子湮没
辐照效应
亚稳态中心
Paramagnetic defect production in silicon after 112MeV Ar ion irradiation
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 1998, 卷号: 22, 页码: 858-863
作者:
Li, BQ
;
Meng, QH
;
Wang, YS
;
Li, CL
;
Jin, YF
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2018/05/31
Ar ion irradiation
defect
electron paramagnetic resonance
annealing
EPR studies on defect production and its annealing behavior in silicon after high fluence Ar ion irradiation
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 1998, 卷号: 22, 页码: 651-657
作者:
Cheng, S
;
Zhu, ZY
;
Wang, ZG
;
Sun, YM
;
Jin, YF
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/05/31
Ar ion irradiation
defect production
Electron Paramagnetic Resonance
isochronal annealing
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