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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1998    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1.3 mu m InGaAsP/InP strained layer multi-quantum-well complex-coupled distributed feedback laser 会议论文 semiconductor lasers iii, beijing, peoples r china, sep 16-18, 1998 Chen B; Wang W; Wang XJ; Zhang JY; Zhu HL; Zhou F 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/10/29 1.3 mu m  complex-coupled grating  DFB laser   Intraband absorption in the 8-12 mu m band from Si-doped vertically aligned InGaAs/GaAs quantum-dot superlattice 期刊论文 applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 25, 页码: 3706-3708 Zhuang QD; Li JM; Li HX; Zeng YP; Pan L; Chen YH; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/08/12 X-RAY-DIFFRACTION  INFRARED-ABSORPTION  SELF-ORGANIZATION  ISLANDS  WELL  SPECTROSCOPY  TRANSITIONS  LASERS  INP   Analysis of atomic force microscopic results of InAs islands formed by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 3-4, 页码: 376-380 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 nanometer island  InAs  molecular beam epitaxy  atomic force microscopy  quantum dot  GAAS  LASERS  GROWTH  ASSEMBLED QUANTUM DOTS