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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1998    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Method for fabricating a semiconductor device by selectively controlling growth of an epitaxial layer without a mask 专利 专利号: US5854089, 申请日期: 1998-12-29, 公开日期: 1998-12-29 作者:  NAKATSU, HIROSHI 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of manufacturing wafer bonded semiconductor laser device 专利 专利号: US5854090, 申请日期: 1998-12-29, 公开日期: 1998-12-29 作者:  IWAI, NORIHIRO;  KASUKAWA, AKIHIKO 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 Light emitting device having current blocking structure 专利 专利号: US5847415, 申请日期: 1998-12-08, 公开日期: 1998-12-08 作者:  SAKATA, YASUTAKA 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 Long wavelength light emitting vertical cavity surface emitting laser and method of fabrication 专利 专利号: US5835521, 申请日期: 1998-11-10, 公开日期: 1998-11-10 作者:  RAMDANI, JAMAL;  LEBBY, MICHAEL S.;  JIANG, WENBIN 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体素子の保護膜形成方法 专利 专利号: JP2846086B2, 申请日期: 1998-10-30, 公开日期: 1999-01-13 作者:  長谷川 光利 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 Surface-emission type light-emitting diode and fabrication process therefor 专利 专利号: US5821569, 申请日期: 1998-10-13, 公开日期: 1998-10-13 作者:  DUTTA, ACHYUT KUMAR 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 導波路型半導体光素子の製造方法 专利 专利号: JP2836822B2, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-12-14 作者:  宮澤 丈夫;  浅井 裕充;  三上 修 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/26 結晶成長方法 专利 专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25 作者:  近藤 正彦;  皆川 重量;  梶村 俊 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザーの製造方法 专利 专利号: JP2822195B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-11 作者:  成井 啓修;  大畑 豊治;  森 芳文 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24 多波長半導体レーザダイオード 专利 专利号: JP2819160B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30 作者:  宮澤 丈夫;  永沼 充 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24