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| 短周期超晶格AlP_GaP能带结构的转变及其带间的光跃迁 期刊论文
半导体光电, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 375-379, 425
作者: 张福甲; 王德明; 孟雄晖; 刘凤敏; 甘润今
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| 半導体結晶性膜の成長方法 专利
专利号: JP1997306848A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
作者: 砂川 晴夫
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| AlInGaN系半導体発光素子および半導体発光装置 专利
专利号: JP1997307190A, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1997-11-28
作者: 福永 敏明
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| GaN 用衬底材料 LiGaO_2 晶体超精密抛光的初步实验 期刊论文
光学精密工程, 1997, 期号: 05, 页码: 58-63
谢伦; 高宏刚; 陈斌; 曹健林; 王建明; 刘琳
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2013/03/11
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1997275238A, 申请日期: 1997-10-21, 公开日期: 1997-10-21
作者: 西塚 満; 太田 啓之
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Misfit dislocations and stresses in GaN epilayers 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.120056, 1997
Kang, J. Y.; Ogawa, T.; 康俊勇
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2013/12/12
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| 半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1997270569A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14
作者: 粂 雅博; 伴 雄三郎; 石橋 明彦; 上村 信行; 武石 英見
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体発光素子 专利
专利号: JP1997266352A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07
作者: 早川 利郎
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| AlInGaN系半導体発光素子 专利
专利号: JP1997266351A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07
作者: 早川 利郎
收藏 | 浏览/下载：53/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 化合物半導体発光素子 专利
专利号: JP1997266354A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07
作者: 板谷 和彦; 山本 雅裕
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