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光半導体素子の製造方法 专利
专利号: JP2725449B2, 申请日期: 1997-12-05, 公开日期: 1998-03-11
作者:  北村 光弘;  佐々木 達也
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Silicon cylinder grown on the surface of a silicon wafer 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 182, 期号: 3-4, 页码: 337-340
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收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/05/25
铋对铜电解精炼中阴极铜沉积的微观结构的影响 期刊论文
http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9536.shtml, 1997
鲁道荣; 林建新; Lu Daorong; Lin Jianxing
收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/11/18
半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2723921B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
作者:  田中 俊明;  梶村 俊
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
面発光型半導体レーザーの製造方法 专利
专利号: JP2719631B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-02-25
作者:  伊賀 健一;  古沢 浩太郎;  茨木 晃
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2721274B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-03-04
作者:  関 章憲;  細羽 弘之;  幡 俊雄;  近藤 雅文;  須山 尚宏
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/13
Molecular beam epitaxy growth of iny2al1-y2as/in0.73ga0.27as/iny1al1-y1as/inp p-hemts with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文
Journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025
作者:  Jiang, C;  Xu, B;  Li, HX;  Liu, FQ;  Gong, Q
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12
Synthesis of diamond from polymer seeded with nanometer-sized diamond particles 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 181, 期号: 3, 页码: 308-313
作者:  Wang, XJ;  Chen, JS;  Zheng, ZH;  Sun, Z;  Yan, FY
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/12/15
Ge composition saturation behavior during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid Ge molecular beam epitaxy 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 181, 期号: 4, 页码: 441-445
作者:  Liu, JP;  Liu, XF;  Li, JP;  Sun, DZ;  Kong, MY
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P型ZnTe単結晶の製造方法 专利
专利号: JP2708866B2, 申请日期: 1997-10-17, 公开日期: 1998-02-04
作者:  菱田 有二;  石井 宏明
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