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半導体レーザ装置、ダブルヘテロウエハおよびその製造方法 专利
专利号: JP2728672B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
作者:  大場 康夫;  菅原 秀人
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高分子固体电解质研究进展 期刊论文
http://electrochem.xmu.edu.cn/CN/abstract/abstract9530.shtml, 1997
丁黎明; 董绍俊; 汪尔康; Ding Liming; Dong Shaojun; Wang Erkang
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2013/11/18
半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイ 专利
专利号: JP2723944B2, 申请日期: 1997-11-28, 公开日期: 1998-03-09
作者:  田中 俊明;  皆川 重量;  梶村 俊
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26
Buried heterostructure semiconductor laser fabricated on a p-type substrate 专利
专利号: US5692002, 申请日期: 1997-11-25, 公开日期: 1997-11-25
作者:  MIZUTANI, TOMOKO
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
Light Interactive semiconductor device including wire connection at internal light distribution maximum 专利
专利号: US5684816, 申请日期: 1997-11-04, 公开日期: 1997-11-04
作者:  TAKAGI, KAZUHISA
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24
Reducibility of Mo species in Pt/MoO3 and PtMo/Al2O3 catalysts 期刊论文
reaction kinetics and catalysis letters, 1997, 卷号: 62, 期号: 2, 页码: 217-224
作者:  Wang, J;  Li, WZ;  Yu, CY;  Chen, YX;  Zhang, YZ
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Molecular beam epitaxy growth of iny2al1-y2as/in0.73ga0.27as/iny1al1-y1as/inp p-hemts with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文
Journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025
作者:  Jiang, C;  Xu, B;  Li, HX;  Liu, FQ;  Gong, Q
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Electrical conductivity of sulfur-doped C-60 films 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 1997, 卷号: 33, 期号: 1-2, 页码: 27-30
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收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25
Surface air-sea fluxes and upper ocean heat budget at 156 degrees E, 4 degrees S during the Tropical Ocean Global Atmosphere Coupled Ocean Atmosphere Response Experiment 期刊论文
JOURNAL OF GEOPHYSICAL RESEARCH-OCEANS, 1997, 卷号: 102, 期号: C10, 页码: 23109-23129
作者:  Song, XL;  Friehe, CA
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Semiconductor laser device and fabricating method thereof 专利
专利号: GB2301481B, 申请日期: 1997-10-08, 公开日期: 1997-10-08
作者:  SHOICHI, , KARAKIDA;  MOTOHARU, , MIYASHITA;  YUTAKA, , MIHASHI
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