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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1997    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of iny2al1-y2as/in0.73ga0.27as/iny1al1-y1as/inp p-hemts with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文 Journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025 作者:  Jiang, C;  Xu, B;  Li, HX;  Liu, FQ;  Gong, Q 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy growth of Iny2Al1-y2As/In0.73Ga0.27As/Iny1Al1-y1As/InP P-HEMTs with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES