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发表日期:1996
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Characteristics of diamond crystals deposited on quartz substrates by chemical vapor deposition
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1996, 卷号: 169, 期号: 4, 页码: 722-726
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提交时间:2015/05/25
Micromechanism of crystallization in multicomponent metallic glass
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 1996, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 401-408
作者:
Li, JM
;
Quan, HX
;
Hu, ZQ
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2021/02/02
Epitaxial InxGa(1-x)As having a slanted crystallographic plane azimuth
专利
专利号: US5569954, 申请日期: 1996-10-29, 公开日期: 1996-10-29
作者:
HATA, MASAHIKO
;
FUKUHARA, NOBORU
;
TAKATA, HIROAKI
;
INUI, KATSUMI
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/26
Method of forming a groove in a semiconductor laser diode and a semiconductor laser diode
专利
专利号: US5566198, 申请日期: 1996-10-15, 公开日期: 1996-10-15
作者:
HORIE, HIDEYOSHI
;
FUJIMORI, TOSHINARI
;
NAGAO, SATORU
;
HOSOI, NOBUYUKI
;
GOTO, HIDEKI
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/24
半導体装置の製造方法
专利
专利号: JP2557546B2, 申请日期: 1996-09-05, 公开日期: 1996-11-27
作者:
西村 隆司
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/13
Structural modeling of the possible growth of oriented textured single-crystal diamond film on a silicon(111) surface
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 69, 期号: 8, 页码: 1086-1088
-
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/05/25
半導体発光装置の製造方法
专利
专利号: JP2538960B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-10-02
作者:
牛嶋 一郎
;
中井 三郎
;
生沼 一幸
;
大宮 史也
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2020/01/18
Halbleiterlaservorrichtung und Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung
专利
专利号: DE19546578A1, 申请日期: 1996-06-20, 公开日期: 1996-06-20
作者:
KAJIKAWA YASUTOMO
;
KARAKIDA SHOUICHI
;
KIZUKI HIROTAKTA
;
MIHASHI YUTAKA
;
MIYASHITA MOTOHARU
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/31
半導体レ—ザ
专利
专利号: JP2527024B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-08-21
作者:
五明 明子
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提交时间:2020/01/18
Optical device with an optical coupler for effecting light branching/combining and a method for producing the same
专利
专利号: EP0509236B1, 申请日期: 1996-06-05, 公开日期: 1996-06-05
作者:
UCHIDA, MAMORU, C/O CANON KABUSHIKI KAISHA
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提交时间:2019/12/26
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