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共475条,第1-10条
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面心立方相Ti纳米粒子的形成及相变
期刊论文
物理学报, 1995, 期号: 12, 页码: 1958-1963
杨明川,徐坚,孙秀魁,魏文铎,胡壮麒
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2012/04/12
纳米粒子:8139
快速凝固非平衡合金:2919
立方相:2593
气体压力:2095
冷却速度:2023
国家重点实验室:1753
电子能谱:1552
晶粒尺寸:1286
中国科学院:1215
金属研究所:1180
辐射伏特效应用于核衰变能发电的初步研究
期刊论文
核技术, 1995, 期号: 12
王铁山
;
张保国
;
王柱生
;
李强
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2011/09/23
辐射伏特效应
衰变能
发电
Intramolecular charge transfer and exciplex formation in anthracene bichromophoric compounds
期刊论文
JOURNAL OF PHOTOCHEMISTRY AND PHOTOBIOLOGY A-CHEMISTRY, 1995, 卷号: 92, 期号: 1-2, 页码: 29-34
作者:
Wang, H
;
Zhang, BW
;
Cao, Y
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/04/09
Intramolecular Charge Transfer
Exciplex Formation
Anthracene Bichromophoric Compounds
Photophysical processes of some carbazole derivatives
期刊论文
JOURNAL OF PHOTOCHEMISTRY AND PHOTOBIOLOGY A-CHEMISTRY, 1995, 卷号: 92, 期号: 1-2, 页码: 25-27
作者:
Mo, YM
;
Bai, FL
;
Wang, ZT
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/04/09
Carbazole Derivatives
Twisted Intramolecular Charge Transfer
Stem-volmer Equation
半導体発光装置
专利
专利号: JP1995112089B2, 申请日期: 1995-11-29, 公开日期: 1995-11-29
作者:
山腰 茂伸
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/01/13
A Signature of Relativistic Electron-Positron Beams in BL Lacertae Objects
期刊论文
ASTROPHYSICAL JOURNAL, 1995, 卷号: 454, 期号: 1, 页码: 50-54
作者:
Xie GZ(谢光中)
;
Liu BF(刘碧芳)
;
Wang JC(王建成)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2016/04/12
BL LACERTAE OBJECTS
ELEMENTARY PARTICLES
GALAXIES
RADIATION MECHANISMS
GENERAL
JETS
NONTHERMAL
Ar离子辐照的非晶态合金表面发泡扫描电镜观测
期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 1995, 期号: 04
刘昌龙
;
侯明东
;
全明秀
;
孙文声
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2011/09/23
Ar离子辐照
非晶态合金
发泡
Ultrastructural differences as a taxonomic marker: The segmental ocelli of Polyophthalmus pictus and Polyophthalmus qingdaoensis sp n (Polychaeta, Opheliidae)
期刊论文
ZOOMORPHOLOGY, 1995, 卷号: 115, 期号: 4, 页码: 229-241
作者:
Purschke, G
;
Ding, Z
;
Muller, MC
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2018/12/07
Ultrastructural differences as a taxonomic marker: The segmental ocelli of Polyophthalmus pictus and Polyophthalmus qingdaoensis sp n (Polychaeta, Opheliidae)
期刊论文
ZOOMORPHOLOGY, 1995, 卷号: 115, 期号: 4, 页码: 229-241
作者:
Purschke, G
;
Ding, Z
;
Muller, MC
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/08/19
EPITAXIALLY GROWN BETA-SIC ON SI IN THE CH4-H-2 SYSTEM BY HOT-FILAMENT CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 1995, 卷号: 34, 页码: L13-L16
作者:
SUN, Z
;
SUN, Y
;
WANG, X
;
ZHENG, Z
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2018/05/31
EPITAXY OF THIN FILMS
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
SILICON
SILICON CARBIDE
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