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| 混晶グレーデッドエピタキシャル基板 专利
专利号: JP1995120624B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
作者: 松本 卓
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| Method of growing epitaxial layers 专利
专利号: US5476811, 申请日期: 1995-12-19, 公开日期: 1995-12-19
作者: FUJII, TOSHIO; SANDHU, ADARSH
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 化合物半導体装置の製造方法 专利
专利号: JP1995111967B2, 申请日期: 1995-11-29, 公开日期: 1995-11-29
作者: 長坂 博子; 渡辺 幸雄; 岡島 正季; 山本 基幸; 武藤 雄平
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| 半導体発光素子の製造方法 专利
专利号: JP1995105556B2, 申请日期: 1995-11-13, 公开日期: 1995-11-13
作者: 木下 順一; 森永 素安
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 光出力モニタ付半導体レ-ザ 专利
专利号: JP1995105555B2, 申请日期: 1995-11-13, 公开日期: 1995-11-13
作者: 福田 光男; 野口 悦男; 中野 純一; 中野 好典; 植木 峰雄
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP1995099785B2, 申请日期: 1995-10-25, 公开日期: 1995-10-25
作者: 杉野 隆; 山本 敦也; 広瀬 正則; ▲吉▼川 昭男
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体発光装置及びその製造方法 专利
专利号: JP1995073132B2, 申请日期: 1995-08-02, 公开日期: 1995-08-02
作者: 松尾 望
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| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP1995066994B2, 申请日期: 1995-07-19, 公开日期: 1995-07-19
作者: 兼岩 進治; 瀧口 治久; 吉田 智彦; 松井 完益
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| VALENCE-BAND OFFSET AT INXGA1-XAS/GAAS HETEROJUNCTIONS UNDER DIFFERENT STRAIN CONDITIONS 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(95)00207-3, 1995
Ke, S. H.; Wang, R. Z.; Huang, M. C.; 黄美纯
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| 半導体光集積素子の製造方法 专利
专利号: JP1995050815B2, 申请日期: 1995-05-31, 公开日期: 1995-05-31
作者: 佐々木 達也
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