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西安光学精密机械研究... [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
1993 [5]
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发表日期:1993
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Ii-vi laser diodes with quantum wells grown by atomic layer epitaxy and migration enhanced epitaxy
专利
专利号: AU1993043788A1, 申请日期: 1993-12-30, 公开日期: 1993-12-30
作者:
CHENG, HWA
;
DEPUYDT, JAMES M
;
HAASE, MICHAEL A
;
QIU, JUN
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/31
Laser diode package
专利
专利号: US5262675, 申请日期: 1993-11-16, 公开日期: 1993-11-16
作者:
BAUSMAN, JR., MARVIN D.
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/01/13
-
专利
专利号: JP1993058592B2, 申请日期: 1993-08-26, 公开日期: 1993-08-26
作者:
FUKAO HAJIME
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/13
Reliable AlInGaAs/AlGaAs strained-layer diode lasers
专利
专利号: US5216684, 申请日期: 1993-06-01, 公开日期: 1993-06-01
作者:
WANG, CHRISTINE A.
;
WALPOLE, JAMES N.
;
CHOI, HONG K.
;
DONNELLY, JOSEPH P.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/24
Algainp diodes emitting visible light
专利
专利号: CA2076605A1, 申请日期: 1993-05-05, 公开日期: 1993-05-05
作者:
BONA GIAN-LUCA
;
BUCHAN NICHOLAS
;
HEUBERGER WILLI
;
ROENTGEN PETER
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/31
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