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上海微系统与信息技术... [2]
半导体研究所 [1]
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内容类型
期刊论文 [4]
专利 [3]
发表日期
1991 [7]
学科主题
Crystallog... [1]
Materials ... [1]
半导体材料 [1]
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发表日期:1991
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Semiconductor laser device
专利
专利号: JP1991257887A, 申请日期: 1991-11-18, 公开日期: 1991-11-18
作者:
SEKO YASUJI
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/01/18
Optical isolator
专利
专利号: JP1991085513A, 申请日期: 1991-04-10, 公开日期: 1991-04-10
作者:
TOGANO YUICHI
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/31
Monolithic temperature stabilized optical tuning circuit for channel separation in WDM systems utilizing tunable lasers
专利
专利号: US4993032, 申请日期: 1991-02-12, 公开日期: 1991-02-12
作者:
BRADLEY, ERIC M.
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/26
INTERNAL STRAIN AND LATTICE DEFORMATION OF MOLECULAR-BEAM-EPITAXY-GROWN GAINASSB ON GAAS SUBSTRATE
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 1991, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 157-161
BI, WG
;
LI, AH
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2012/03/25
MU-M
OPERATION
LASERS
DETERMINATION OF REFRACTIVE-INDEX AND STUDY OF ABSORPTION IN WIDE GAP II-VI SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1991, 卷号: 111, 期号: 1-4, 页码: 807-810
SHEN, AD
;
CUI, J
;
CHEN, YL
;
WANG, HL
;
LI, AH
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/25
STRAINED-LAYER SUPERLATTICES
QUANTUM-WELL STRUCTURES
EPITAXY
GROWTH
MBE
A SIMPLE METHOD FOR PREDICTION OF GAS-PERMEABILITY OF POLYMERS FROM THEIR MOLECULAR-STRUCTURE
期刊论文
polymer journal, 1991, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 417-425
JIA LD
;
XU JP
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2011/03/03
POLYCARBONATES
MEMBRANES
LIQUID-PHASE EPITAXY GROWTH AND PROPERTIES OF GAINASSB/ALGAASSB/GASB HETEROSTRUCTURES
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 1991, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 1343-1347
GONG XY
;
YANG BH
;
MA YD
;
GAO FS
;
YU Y
;
HAN WJ
;
LUI XF
;
XI JY
;
WANG ZG
;
LIN LY
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/15
ROOM-TEMPERATURE OPERATION
ALLOY COMPOSITION
WAVELENGTH RANGE
LATTICE-CONSTANT
LASERS
GASB
GAINASSB
BANDGAP
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