QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1989     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Light amplifying device 专利 专利号: JP1989293588A, 申请日期: 1989-11-27, 公开日期: 1989-11-27 作者:  YAMAGUCHI MASAYUKI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1989138782A, 申请日期: 1989-05-31, 公开日期: 1989-05-31 作者:  ARIMOTO SATOSHI;  KONNO NOBUAKI 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 长效固体降阻材料的电性能研究 Study of Electrical Performance of Long Lasting Grounding Resistance Reducing Material 期刊论文 1989, 页码: 69-71 作者:  张金玉[1];  陈先禄[1] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/28 四电极法测量Na_3AlF_6-Al_2O_3-RE_2O_3熔体的电导率 期刊论文 应用化学, 1989, 卷号: 6, 期号: 5, 页码: 67-69 赵敏寿; 冯力; 吕翔平; 唐定骧 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2011/03/03 氟铝酸钠  氧化铝  稀土氧化物  熔体  四电极法  电导率