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Semiconductor light emitting device 专利
专利号: US4888782, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者:  KAKIMOTO, SYOICHI
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser device and its manufacture 专利
专利号: JP1989309393A, 申请日期: 1989-12-13, 公开日期: 1989-12-13
作者:  OTOSHI SO;  OISHI AKIO;  UOMI KAZUHISA;  YAMAGUCHI KEN
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
LATERAL VARIATIONS OF THE MANTLE DENSITY AND FLUCTUATION OF THE CORE MANTLE BOUNDARY 期刊论文
PHYSICS OF THE EARTH AND PLANETARY INTERIORS, 1989, 卷号: 58, 期号: 2-3, 页码: 163-172
作者:  YE, ZR
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2018/09/26
A mixed model on the permian-triassic boundary event 期刊论文
Meteoritics, 1989, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 345-345
作者:  ZHOU, YQ;  CHAI, CF;  MAO, XY;  MA, SL;  MA, JG
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/23
- 专利
专利号: JP1989055589B2, 申请日期: 1989-11-27, 公开日期: 1989-11-27
作者:  FURUYAMA HIDETO;  UEMATSU YUTAKA
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1989293684A, 申请日期: 1989-11-27, 公开日期: 1989-11-27
作者:  KURIHARA HARUKI;  FURUKAWA CHISATO;  HOSOYA TOSHIAKI
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1989251687A, 申请日期: 1989-10-06, 公开日期: 1989-10-06
作者:  TANAKA AKIRA
收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18
后缘开裂对斜坡稳定性影响的有限元分析 会议论文
一九八七年全国滑坡学术讨论会滑坡论文选集, 四川成都, 1987-10-21~25
作者:  李永益;  黄大庭
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989239892A, 申请日期: 1989-09-25, 公开日期: 1989-09-25
作者:  OGITA SHOICHI;  KOTAKI YUJI
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1989230282A, 申请日期: 1989-09-13, 公开日期: 1989-09-13
作者:  KAKIMOTO SHOICHI
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13

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