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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：1989     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Manufacture of semiconductor laser 专利 专利号: JP1989166590A, 申请日期: 1989-06-30, 公开日期: 1989-06-30 作者:  NAKATSUKA SHINICHI 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18 PRESSURE EFFECT ON SUPERCONDUCTING TRANSITION-TEMPERATURE RELAXATION BEHAVIOR OF THE ZR70CU30 AMORPHOUS ALLOY ON ANNEALING AT ELEVATED PRESSURES 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 1989, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 2714 SHEN, ZY; CHEN, GY; ZHANG, Y; YIN, XJ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/24 CHARACTERIZATION OF REFRACTORY METAL NITRIDE SCHOTTKY CONTACTS ON GaAs 其他 1989-01-01 ZHANG Lichun 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2017/12/03 Schottky  aligned  annealing  contacts  breakdown  MESFET  nitride  annealed  maintain  Refractory  Schottky  aligned  annealing  contacts  breakdown  MESFET  nitride  annealed  maintain  Refractory   FORMATION OF TITANIUM SILICIDE AND SHALLOW JUNCTIONS BY BF2+ IMPLANTATION AND LOW-TEMPERATURE ANNEALING 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1989, 卷号: 39, 期号: 41278 ZHU, DZ（朱德彰）; PAN, HC; ZHU, FY（朱福英）; CAO, JQ（曹建清）; CAO, DX（曹德新） 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/11