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TOTAL NUCLEAR-REACTION PROBABILITIES AND AVERAGE CROSS-SECTIONS FOR 27 TO 92 MEV ALPHA-PARTICLES IN SILICON 期刊论文
PHYSICAL REVIEW C, 1989, 卷号: 40, 页码: 2473-2478
作者:  WARNER, RE;  VANDENBERG, AM;  BERLAND, KM;  HINNEFELD, JD;  ZHANG, Z
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2018/07/16
ACTIVE OPIOID BINDING-PROTEIN FROM RAT-BRAIN - A GLYCOPROTEIN CONTAINING ALPHA-METHYL-D-MANNOSIDE RESIDUES 期刊论文
ACTA PHARMACOLOGICA SINICA, 1989, 卷号: 10, 期号: 6, 页码: 481-484
作者:  WANG, F;  LI, ZY;  CHI, ZQ;  ZENG, ZK;  ZONG, GY
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/01/08
Surface emitting type bistable semiconductor laser 专利
专利号: JP1989251776A, 申请日期: 1989-10-06, 公开日期: 1989-10-06
作者:  UENO SHINSUKE
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
SYNTHESIS OF HETEROCYCLIC KETENE N,O-ACETALS AND THEIR REACTIONS WITH ALPHA,BETA-UNSATURATED ESTERS 期刊论文
CHEMISCHE BERICHTE, 1989, 卷号: 122, 期号: 10, 页码: 2011-2016
作者:  HUANG, ZT;  ZHANG, PC
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/04/09
ON THE DEFORMATION OF THE ALPHA-BAND 期刊论文
CHINESE PHYSICS, 1989, 卷号: 9, 页码: 1064-1066
作者:  ZHANG, JY;  ZHONG, JQ
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2018/07/16
Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989238086A, 申请日期: 1989-09-22, 公开日期: 1989-09-22
作者:  NANBARA SEIJI;  HIGUCHI HIDEYO
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Temperature control device and semiconductor laser module therewith 专利
专利号: JP1989222491A, 申请日期: 1989-09-05, 公开日期: 1989-09-05
作者:  TAKAGI MICHIAKI
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THE ELECTRONIC-STRUCTURE OF A RARE-EARTH LUMINESCENT CENTER IN ALKALINE-EARTH SULFIDES 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/1/31/003, 1989
QI, ZQ; WEI, P; CHUN, HM; GUANG, HX; 潘伟
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2015/07/22
Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1989187988A, 申请日期: 1989-07-27, 公开日期: 1989-07-27
作者:  KADOWAKI TOMOKO
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Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1989183190A, 申请日期: 1989-07-20, 公开日期: 1989-07-20
作者:  KADOWAKI TOMOKO
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