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内容类型
期刊论文 [35]
专利 [9]
学位论文 [2]
发表日期
1989 [46]
学科主题
materials ... [2]
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physics [1]
物理化学 [1]
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共46条,第1-10条
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发表日期:1989
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TOTAL NUCLEAR-REACTION PROBABILITIES AND AVERAGE CROSS-SECTIONS FOR 27 TO 92 MEV ALPHA-PARTICLES IN SILICON
期刊论文
PHYSICAL REVIEW C, 1989, 卷号: 40, 页码: 2473-2478
作者:
WARNER, RE
;
VANDENBERG, AM
;
BERLAND, KM
;
HINNEFELD, JD
;
ZHANG, Z
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/07/16
ACTIVE OPIOID BINDING-PROTEIN FROM RAT-BRAIN - A GLYCOPROTEIN CONTAINING ALPHA-METHYL-D-MANNOSIDE RESIDUES
期刊论文
ACTA PHARMACOLOGICA SINICA, 1989, 卷号: 10, 期号: 6, 页码: 481-484
作者:
WANG, F
;
LI, ZY
;
CHI, ZQ
;
ZENG, ZK
;
ZONG, GY
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提交时间:2019/01/08
Surface emitting type bistable semiconductor laser
专利
专利号: JP1989251776A, 申请日期: 1989-10-06, 公开日期: 1989-10-06
作者:
UENO SHINSUKE
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/01/13
SYNTHESIS OF HETEROCYCLIC KETENE N,O-ACETALS AND THEIR REACTIONS WITH ALPHA,BETA-UNSATURATED ESTERS
期刊论文
CHEMISCHE BERICHTE, 1989, 卷号: 122, 期号: 10, 页码: 2011-2016
作者:
HUANG, ZT
;
ZHANG, PC
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/04/09
ON THE DEFORMATION OF THE ALPHA-BAND
期刊论文
CHINESE PHYSICS, 1989, 卷号: 9, 页码: 1064-1066
作者:
ZHANG, JY
;
ZHONG, JQ
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2018/07/16
Semiconductor laser device
专利
专利号: JP1989238086A, 申请日期: 1989-09-22, 公开日期: 1989-09-22
作者:
NANBARA SEIJI
;
HIGUCHI HIDEYO
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2020/01/13
Temperature control device and semiconductor laser module therewith
专利
专利号: JP1989222491A, 申请日期: 1989-09-05, 公开日期: 1989-09-05
作者:
TAKAGI MICHIAKI
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/31
THE ELECTRONIC-STRUCTURE OF A RARE-EARTH LUMINESCENT CENTER IN ALKALINE-EARTH SULFIDES
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/0953-8984/1/31/003, 1989
QI, ZQ
;
WEI, P
;
CHUN, HM
;
GUANG, HX
;
潘伟
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
Semiconductor laser and manufacture thereof
专利
专利号: JP1989187988A, 申请日期: 1989-07-27, 公开日期: 1989-07-27
作者:
KADOWAKI TOMOKO
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser and manufacture thereof
专利
专利号: JP1989183190A, 申请日期: 1989-07-20, 公开日期: 1989-07-20
作者:
KADOWAKI TOMOKO
收藏
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提交时间:2020/01/18
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