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Induced grating devices and method of making same 专利
专利号: US4793680, 申请日期: 1988-12-27, 公开日期: 1988-12-27
作者:  BYRON, KEVIN C.
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INFLUENCE OF ANODE AND CATHODE SAMPLES ON THE OPTICAL GAP FOR A-SI HA-SINXH MULTILAYER FILMS 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 1988, 卷号: 7, 期号: 7-8, 页码: 268-270
作者:  WANG, WL;  LIAO, KJ
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Deposition technique 专利
专利号: DE3565865D1, 申请日期: 1988-12-01, 公开日期: 1988-12-01
作者:  COX HERBERT MICHAEL
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24
Multiple quantum well negative resistance element and bistable light emitting element 专利
专利号: JP1988292683A, 申请日期: 1988-11-29, 公开日期: 1988-11-29
作者:  KAWAMURA YUICHI;  WAKITA KOICHI;  ASAHI HAJIME;  KURUMADA KATSUHIKO;  OE KUNISHIGE
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/31
Semiconductor device 专利
专利号: JP1988280484A, 申请日期: 1988-11-17, 公开日期: 1988-11-17
作者:  UNO TOMOAKI;  YAKIDA HIDEKI;  YOKOGAWA TOSHIYA;  TAKAHASHI TOSHIYA
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2020/01/18
STUDIES OF SOME PROPERTIES OF MECHANICAL-STRESS IN A-SI-H, A-SINX-H AND A-SI-H/A-SINX-H HETEROJUNCTION FILMS 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 1988, 卷号: 165, 期号: 1, 页码: 173-179
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收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25
A NEW KIND OF CONDUCTIVE SUBSTRATE MADE BY OVERETCHING AND PLATING TECHNIQUES 期刊论文
journal of the electrochemical society, 1988, 卷号: 135, 期号: 11, 页码: c537-c537
作者:  WANG, YC
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/08/20
Semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1988233586A, 申请日期: 1988-09-29, 公开日期: 1988-09-29
作者:  NOJIRI HIDEAKI;  SEKIGUCHI YOSHINOBU;  HASEGAWA MITSUTOSHI;  MIYAZAWA SEIICHI;  HARA TOSHITAMI
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IR AND ELECTRON-SPIN-RESONANCE STUDIES OF THE STRUCTURAL-PROPERTIES OF HYDROGENATED AMORPHOUS-CARBON FILMS 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 1988, 卷号: 109, 期号: 1, 页码: K39-K44
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收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25
Thin film lens 专利
专利号: JP1988195605A, 申请日期: 1988-08-12, 公开日期: 1988-08-12
作者:  ITO NAOYUKI
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