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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988213390A, 申请日期: 1988-09-06, 公开日期: 1988-09-06
作者: HAYAKAWA TOSHIRO; SUYAMA NAOHIRO; KONDO MASAFUMI; TAKAHASHI KOUSEI
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| 金属缺位非化学比材料Zr_3N_4的电子结构 期刊论文
1988
庄杰耀; 黄美纯
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2011/06/29
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| YBa_2Cu_3O_7的LDF-LMTO电子结构 期刊论文
1988
黄美纯; 沈耀文
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| 高Tc氧化物超导体的电子结构 期刊论文
物理学进展, 1988, 期号: 02
徐建华
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| THE FERMI LEVEL EFFECT ON THE LUMINESCENCE FROM GAAS-CR MATERIALS 期刊论文
journal of luminescence, 1988, 卷号: 40-41, 期号: 0, 页码: 403-404
GE WK
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| TEMPERATURE-DEPENDENCE OF THE PHOTOLUMINESCENCE IN GAAS-GAALAS MULTIPLE QUANTUM WELL STRUCTURES 期刊论文
physica status solidi b-basic research, 1988, 卷号: 147, 期号: 1, 页码: 421-429
CHIARI A; COLOCCI M; FERMI F; LI YH; QUERZOLI R; VINATTIERI A; ZHUANG WH
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