中国开放科研知识云: 检索

Manufacture of semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1987216388A, 申请日期: 1987-09-22, 公开日期: 1987-09-22
作者: KATO TAKESHI

收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13

Manufacture of embedded type semiconductor laser 专利
专利号: JP1987149186A, 申请日期: 1987-07-03, 公开日期: 1987-07-03
作者: SUGIMOTO MITSUNORI

收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/31

Semiconductor laser 专利
专利号: JP1987136090A, 申请日期: 1987-06-19, 公开日期: 1987-06-19
作者: SUGIMOTO MITSUNORI

收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/18

Method of producing semiconductor laser 专利
专利号: EP0225772A2, 申请日期: 1987-06-16, 公开日期: 1987-06-16
作者: MAKIUCHI, MASAO

收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/31

EXPERIMENTAL IMPROVEMENT OF THE RESOLUTION OF AN ISOLDE-TYPE ISOTOPE SEPARATOR 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1987, 卷号: 26, 页码: 25-27
作者: HUANG, YC

收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2018/05/31

Semiconductor laser 专利
专利号: JP1987047184A, 申请日期: 1987-02-28, 公开日期: 1987-02-28
作者: ISHIKAWA TOMONORI

收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/13

SUPERCONDUCTIVITY OF ALSI ALLOYS FORMED BY ION-BEAM MIXING AT LIQUID-HELIUM TEMPERATURE 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1987, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 547
XI, XX; RAN, QZ; LIU, JR; GUAN, WY

收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2013/09/24

A POLYSTYRENE ABSORBED-DOSE-RATE CALORIMETER 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1987, 卷号: 5-24, 页码: 1054
DOMEN, SR; BA, WZ

收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2013/09/17

ION-IMPLANTATION AND LOW-TEMPERATURE PROPERTIES OF METAL-SEMICONDUCTOR ALLOYS 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1987, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 247
XI, XX; ZHOU, DW; ZHAO, GL; RAN, QZ; LIU, JR; GUAN, WY

收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2013/09/18

收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2015/11/13

在结果中检索