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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1986     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semiconductor IC and manufacture thereof 专利 专利号: JP1986189663A, 申请日期: 1986-08-23, 公开日期: 1986-08-23 作者:  OGURA MOTOTSUGU;  HASE NOBUYASU 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 ⅡB族元素氧化物与γ-Al_2O_3相互作用的XRD研究 期刊论文 物理化学学报, 1986 刘英骏; 董保和; 谢有畅; 唐有祺 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 载体表面  光衍射  比表面  焙烧温度  谢有畅  热分解  尖晶石相  外推法  四面体空隙  XRD   ZnO/γ-Al_2O_3体系的状态和表面结构的研究(Ⅰ) 期刊论文 物理化学学报, 1986 赵璧英; 吴念祖; 桂琳琳; 唐有祺 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/24 固相反应  表面结构  光电子能谱法  锌铝  焙烧温度  高温焙烧  化学计量比  电子结合能  共沉淀法  ZnO