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Semiconductor device 专利
专利号: JP1986144833A, 申请日期: 1986-07-02, 公开日期: 1986-07-02
作者:  SHINOHARA KOJI;  FUJIYASU HIROSHI;  ISHIDA AKIHIRO
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HYDROGEN AND DEUTERIUM ABSORPTION IN LANIXMNY 期刊论文
国际氢能杂志, 1986
JIUXIN, Q; XIAOPING, D; CHAOGUI, Z; YUPU, Y
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