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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1986274382A, 申请日期: 1986-12-04, 公开日期: 1986-12-04
作者: HORIKAWA HIDEAKI; OSHIBA SAEKO; MATOBA AKIHIRO; IMANAKA KOICHI
  收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Method of forming mesa structure 专利
专利号: JP1986184892A, 申请日期: 1986-08-18, 公开日期: 1986-08-18
作者: SUZUKI TORU
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Vapor growth method 专利
专利号: JP1986179525A, 申请日期: 1986-08-12, 公开日期: 1986-08-12
作者: NISHIBE TORU; IWAMOTO MASAMI; KINOSHITA JUNICHI
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Study of isochronal annealing behavior of neutron-irradiated hydrogen fz silicon by positron-annihilation 期刊论文
Chinese physics, 1986, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 763-768
作者: XIONG, XM
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/04/23 |
| Apparatus for epitaxial growth in liquid phase 专利
专利号: JP1986136222A, 申请日期: 1986-06-24, 公开日期: 1986-06-24
作者: KATAIGI NOBUYUKI
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Vapor phase growth device 专利
专利号: JP1986128513A, 申请日期: 1986-06-16, 公开日期: 1986-06-16
作者: NAKANISHI TAKATOSHI
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| 掺杂(硼和磷)a-Si_(1-x)C_x_H膜中氢含量的测量 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1986, 卷号: 7, 期号: 5, 页码: 539-542
作者: 陈光华; 张仿清; 徐希翔; 清水立生
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2015/04/27
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| Electro-optic conversion element 专利
专利号: JP1986093691A, 申请日期: 1986-05-12, 公开日期: 1986-05-12
作者: WATANABE HIDEAKI; FUJIMOTO AKIRA
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1986089664A, 申请日期: 1986-05-07, 公开日期: 1986-05-07
作者: NAKAMURA TOMOJI
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Semiconductor light emitting device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1986059888A, 申请日期: 1986-03-27, 公开日期: 1986-03-27
作者: SHIMA KATSUTO
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